IKW40N60H3价格

参考价格:¥16.7166

型号:IKW40N60H3 品牌:Infineon 备注:这里有IKW40N60H3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IKW40N60H3批发/采购报价,IKW40N60H3行情走势销售排行榜,IKW40N60H3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IKW40N60H3

Trench Field-Stop IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.4V@VGE=15V, IC=40A · Low EMI · Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode APPLICATIONS · Uninterrupted Power Supply · Solar Converters · Welding Converters · High Voltage Auxiliaries

ISC

无锡固电

IKW40N60H3

High speed switching series third generation

文件:2.18049 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

IKW40N60H3

采用 TO-247 封装、带反并联二极管的 600 V IGBT

Infineon

英飞凌

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology

Features: TRENCHSTOP™ technology offering • very low VCEsat • low EMI • maximum junction temperature 175°C • qualified according to JEDEC for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/

Infineon

英飞凌

IKW40N60H3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKW40N60H3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 40A 306W

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-17 17:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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原厂原装,价格优势

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