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位置：首页 > IC中文资料第940页 > IKW30N60H3

IKW30N60H3价格

参考价格：￥13.7061

型号：IKW30N60H3 品牌：Infineon 备注：这里有IKW30N60H3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKW30N60H3批发/采购报价，IKW30N60H3行情走势销售排行榜，IKW30N60H3报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IKW30N60H3

HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology

Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceMod

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IKW30N60H3

IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

文件：2.19193 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IKW30N60H3_14

IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IKW30N60H3FKSA1

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 60A 187W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BIDNW30N60H3

BIDNW30N60H3InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

GeneralInformation TheBourns®ModelBIDNW30N60H3IGBTdevicecombinestechnologyfromaMOS gateandabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacter

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns
IGP30N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

TRENCHSTOPtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

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IGA30N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

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IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

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英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

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Infineon

IKW30N60H3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKW30N60H3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 30A 187W

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IKW30N60H3供应商更多...

更新时间：2025-6-23 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IKW30N60H3
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