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IKQ75N120CT2

Low Vce(sat) IGBT in TRENCHSTOP??2 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled Diode

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Infineon

英飞凌

IKQ75N120CT2

分立式IGBT

Infineon

英飞凌

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 150A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-9-27 21:26:00
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
Infineon/英飞凌
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PG-TO247-3-46
10000
原装正品,支持实单

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    https://hfx03.114ic.com/

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    类别:分离式半导体产品家庭:IGBT - 单路系列:TrenchStop?IGBT 类型:沟道电压 - 集电极发射极击穿(最大):600VVge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,6A电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A功率 - 最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO

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