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IKQ50N120CH3

Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 100A TO247-3-46 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-15 18:16:00
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