位置:首页 > IC中文资料 > IKP30N65H5
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 | 
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IKP30N65H5  | High speed H5 technology offering 文件:2.0796 Mbytes Page:17 Pages  | Infineon 英飞凌  | ||
IKP30N65H5  | 650 V、30 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-220 封装  | Infineon 英飞凌  | ||
封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单  | Infineon 英飞凌  | |||
High speed IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology Features and Benefits: High speed H5 technology offering: • Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies • Plug and play replacement of previous generation IGBTs • 650V breakdown voltage • Low gate charge QG • Maximum junction temperature 175°C • Dynamically stress te  | Infineon 英飞凌  | |||
650V IGBT high speed switching series fifth generation 文件:1.93345 Mbytes Page:14 Pages  | Infineon 英飞凌  | |||
High speed switching series fifth generation 文件:2.20055 Mbytes Page:17 Pages  | Infineon 英飞凌  | 
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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IKW15N120T2
进口代理
2024-6-20IKP15N60T
IKP15N60T
2023-11-16IKP15N60TXKSA1 TI/德州仪器 21+ TO220
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19IKD06N60RF
类别:分离式半导体产品家庭:IGBT - 单路系列:TrenchStop?IGBT 类型:沟道电压 - 集电极发射极击穿(最大):600VVge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,6A电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A功率 - 最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO
2021-10-16IKW30N60T
IKW30N60T ,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-26IKW15N120H3
IKW15N120H3?,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-22
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