| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Drain Current ID= 2A@ TC=25C 文件:136.58 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件:2.33384 Mbytes Page:11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件:2.17857 Mbytes Page:10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:1.07913 Mbytes Page:10 Pages | WXDH 东海半导体 | |||
10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:1.07854 Mbytes Page:10 Pages | WXDH 东海半导体 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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WS |
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2022-2-19IKD06N60RF
类别:分离式半导体产品家庭:IGBT - 单路系列:TrenchStop?IGBT 类型:沟道电压 - 集电极发射极击穿(最大):600VVge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,6A电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A功率 - 最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO
2021-10-16IKW15N120H3
IKW15N120H3?,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-22IKCS12F60B2C原装现货
马达/运动/点火控制器和驱动器 SNGL IN-LINE INTELLIGNT PWR MODUL
2019-9-25
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