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IKP10N60T价格
参考价格：￥5.3264
型号：IKP10N60T 品牌：INFINEON 备注：这里有IKP10N60T多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKP10N60T批发/采购报价，IKP10N60T行情走势销售排行榜，IKP10N60T报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IKP10N60T | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines, air co | Infineon 英飞凌 |   | |
IKP10N60T | IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：458.12 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
IKP10N60T | TrenchStop Series 文件：352.4 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
IKP10N60T | 600 V、10 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO220 封装 | Infineon 英飞凌 | | |
TrenchStop Series 文件：352.4 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：458.12 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 20A 110W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | ||
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a | UTC 友顺 | | ||
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | |
IKP10N60T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IKP10N60T
- 功能描述
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IKP10N60T即刻询购立享优惠#长期有货 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-220-3 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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INFINEON |
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SOT-1256&NBS |
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Infineon |
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原厂封装 |
60000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83274527邹小姐 |
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Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3276 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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Infineon(英飞凌) |
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TO-220 |
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INFINEON |
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TO-220 |
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IKP10N60T规格书下载地址
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2023-4-17IKP15N60TXKSA1 TI/德州仪器 21+ TO220
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19IKD06N60RF
类别：分离式半导体产品家庭：IGBT - 单路系列：TrenchStop?IGBT 类型：沟道电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600VVge， Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，6A电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A功率 - 最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO
2021-10-16IKW15N120H3
IKW15N120H3?，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-22IKCS12F60B2C原装现货
马达/运动/点火控制器和驱动器 SNGL IN-LINE INTELLIGNT PWR MODUL
2019-9-25
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