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IKP06N60T价格

参考价格：￥5.0403

型号：IKP06N60T 品牌：INF 备注：这里有IKP06N60T多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKP06N60T批发/采购报价，IKP06N60T行情走势销售排行榜，IKP06N60T报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
IKP06N60T	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode 文件：359.8 Kbytes Page：13 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKP06N60T	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology 文件：403.65 Kbytes Page：13 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKP06N60T	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode 文件：520.58 Kbytes Page：13 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKP06N60T_07	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology 文件：403.65 Kbytes Page：13 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKP06N60T_14	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode 文件：520.58 Kbytes Page：13 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKP06N60TXKSA1	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 12A 88W TO220-3 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
06N60E	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
CJP06N60	PowerfiledEffectTransistor FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
AIHD06N60R	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AIHD06N60RF	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
CMT06N60	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：191.5 Kbytes Page：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商

IKP06N60T产品属性

类型
描述
型号
IKP06N60T
功能描述
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

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更新时间：2024-4-27 23:00:00

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IKP15N60TXKSA1 TI/德州仪器 21+ TO220
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19
IKD06N60RF
类别：分离式半导体产品家庭：IGBT-单路系列：TrenchStop?IGBT类型：沟道电压-集电极发射极击穿（最大）：600VVge，Ic时的最大Vce（开）：2.1V@15V，6A电流-集电极(Ic)（最大）：12A功率-最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO
2021-10-16
IKW15N120H3
IKW15N120H3?，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-22
IKCS12F60B2C原装现货
马达/运动/点火控制器和驱动器SNGLIN-LINEINTELLIGNTPWRMODUL
2019-9-25

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