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IKP04N60T价格

参考价格：￥3.9657

型号：IKP04N60T 品牌：Infineon 备注：这里有IKP04N60T多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKP04N60T批发/采购报价，IKP04N60T行情走势销售排行榜，IKP04N60T报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
IKP04N60T	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode 文件：365.68 Kbytes Page：13 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKP04N60T	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology 文件：566.91 Kbytes Page：14 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKP04N60T	IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode 文件：505.15 Kbytes Page：13 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKP04N60T_09	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology 文件：566.91 Kbytes Page：14 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKP04N60T_16	IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode 文件：505.15 Kbytes Page：13 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKP04N60TXKSA1	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 8A 42W TO220-3 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
04N60	N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.94923 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
04N60H-HF	PowerMOSFET 文件：1.94027 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
04N60H-H-HF	PowerMOSFET 文件：1.94029 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
04N60I	N-CHANNELENHANCEMENTMODE 文件：62.82 Kbytes Page：5 Pages	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
04N60J	N-CHANNELENHANCEMENTMODE 文件：64.16 Kbytes Page：5 Pages	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

IKP04N60T产品属性

类型
描述
型号
IKP04N60T
功能描述
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 4A
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

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更新时间：2024-4-27 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IKP04N60T	Infineon(英飞凌)	23+	TO-220	1259	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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IKD06N60RF
类别：分离式半导体产品家庭：IGBT-单路系列：TrenchStop?IGBT类型：沟道电压-集电极发射极击穿（最大）：600VVge，Ic时的最大Vce（开）：2.1V@15V，6A电流-集电极(Ic)（最大）：12A功率-最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO
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IKW15N120H3?，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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