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IKN06N60RC2

600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode

Features • VCE = 600 V • IC = 6 A • Very tight parameter distribution • Operating range of 1 to 20 kHz • Maximum junction temperature 150°C • Short circuit capability of 3 μs • Humidity robust design • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Complete product spectrum and PSpice Models: htt

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IKN06N60RC2

600 V、6 A IGBT 分立器件,带反向导电驱动 2 个二极管,采用 SOT-223 封装

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封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 包装:管件 描述:HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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Cost effective monolithically integrated IGBT with Diode

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-17 18:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
08+
TO-220
16500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon/英飞凌
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
SAMSUNG
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SMD
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
SAMSUNG
24+
SMD
433
APEM
SMD-16
35560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
INFINEON
24+
TO-220
16500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
APEM
23+
65480
INFINEON
23+24
TO-220
49820
主营全系列二三极管、MOS场效应管、

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    https://hfx03.114ic.com/

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  • IKD06N60RF

    类别:分离式半导体产品家庭:IGBT - 单路系列:TrenchStop?IGBT 类型:沟道电压 - 集电极发射极击穿(最大):600VVge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,6A电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A功率 - 最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO

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    IKW15N120H3?,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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