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位置：首页 > IC中文资料第3576页 > IKD10N60R

IKD10N60R价格

参考价格：￥4.7335

型号：IKD10N60RF 品牌：Infineon 备注：这里有IKD10N60R多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKD10N60R批发/采购报价，IKD10N60R行情走势销售排行榜，IKD10N60R报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IKD10N60R

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.90634 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD10N60R

?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD10N60R

RC-Drive and RC-Drive Fast

文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages

Infineon

英飞凌

IKD10N60R

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 20A 150W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IKD10N60RC2

TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications Cost effective monolithically integrated IGBT with Diode

Features: TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600V applications offering • Very tight parameter distribution • Operating range up to 20kHz • Maximum junction temperature 175°C • Short circuit capability of 3μs • Humidity robust design • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Infineon

英飞凌

IKD10N60R_14

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.90634 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD10N60RA

600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications

文件：2.20257 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD10N60RAATMA2

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 20A 150W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IKD10N60RF

?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD10N60RF

RC-Drive and RC-Drive Fast

文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages

Infineon

英飞凌

IKD10N60RF

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.93 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD10N60RF_14

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.93 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD10N60RFA

Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses

文件：1.75585 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

10N60

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

UTC

友顺

10N60

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

10N60

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

10N60

10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages

WXDH

东海半导体

10N60

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages

UTC

友顺

IKD10N60R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKD10N60R

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IKD10N60R供应商更多...

更新时间：2025-8-13 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
IKD10N60RA
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
2669
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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深圳市得捷芯城科技有限公司
IKD10N60R
INFINEON/英飞凌
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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深圳市星辰微电科技有限公司
IKD10N60R
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
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深圳市华来深电子有限公司
IKD10N60R
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TO-252
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深圳市煦洪科技有限公司
IKD10N60R
Infineon/英飞凌
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深圳市芯皇电子有限公司
IKD10N60R
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
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专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
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深圳市振宏微科技有限公司
IKD10N60R
Infineon(英飞凌)
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IKD10N60R
INFINEON
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深圳市英科美电子有限公司
IKD10N60RAIKD10N60R
INFINEON/英飞凌
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深圳市科恒伟业电子有限公司
IKD10N60R
INFINEON/英飞凌
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TO252
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IKD10N60R规格书下载地址

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  • IKD06N60RF

    类别：分离式半导体产品家庭：IGBT - 单路系列：TrenchStop?IGBT 类型：沟道电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600VVge， Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，6A电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A功率 - 最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO

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