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IKD08N65ET6

IGBT in trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode

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Infineon

英飞凌

IGBT in trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-13 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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45600
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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    类别:分离式半导体产品家庭:IGBT - 单路系列:TrenchStop?IGBT 类型:沟道电压 - 集电极发射极击穿(最大):600VVge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,6A电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A功率 - 最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO

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    IKW15N120H3?,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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