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IKD06N60RC2

Cost effective monolithically integrated IGBT with Diode

文件:1.47012 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD06N60RC2

600 V、6 A IGBT 分立器件,带反向导电驱动 2 个二极管,采用 TO-252 封装

Infineon

英飞凌

600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode

Features • VCE = 600 V • IC = 6 A • Very tight parameter distribution • Operating range of 1 to 20 kHz • Maximum junction temperature 150°C • Short circuit capability of 3 μs • Humidity robust design • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Complete product spectrum and PSpice Models: htt

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-9-29 13:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • IKD06N60RF

    类别:分离式半导体产品家庭:IGBT - 单路系列:TrenchStop?IGBT 类型:沟道电压 - 集电极发射极击穿(最大):600VVge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,6A电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A功率 - 最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO

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