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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IKD06N60RC2 | Cost effective monolithically integrated IGBT with Diode 文件：1.47012 Mbytes Page：16 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IKD06N60RC2 | 600 V、6 A IGBT 分立器件，带反向导电驱动 2 个二极管，采用 TO-252 封装 | Infineon 英飞凌 | | |
600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode Features • VCE = 600 V • IC = 6 A • Very tight parameter distribution • Operating range of 1 to 20 kHz • Maximum junction temperature 150°C • Short circuit capability of 3 μs • Humidity robust design • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Complete product spectrum and PSpice Models: htt | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon(英飞凌) |
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INFINEON |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19IKD06N60RF
类别：分离式半导体产品家庭：IGBT - 单路系列：TrenchStop?IGBT 类型：沟道电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600VVge， Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，6A电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A功率 - 最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO
2021-10-16IKCS12F60B2C原装现货
马达/运动/点火控制器和驱动器 SNGL IN-LINE INTELLIGNT PWR MODUL
2019-9-25
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