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位置：首页 > IC中文资料第2291页 > IKD06N60R

IKD06N60R价格

参考价格：￥3.5846

型号：IKD06N60RF 品牌：Infineon 备注：这里有IKD06N60R多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKD06N60R批发/采购报价，IKD06N60R行情走势销售排行榜，IKD06N60R报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IKD06N60R

RC-Drive and RC-Drive Fast

文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages

Infineon

英飞凌

IKD06N60R

?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD06N60R

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.89039 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD06N60R

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IKD06N60R

600 V IGBT，单片集成反并联二极管，TO-252-3 封装

Infineon

英飞凌

IKD06N60RA

TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications

文件：2.39499 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD06N60RAATMA2

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 12A 100W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IKD06N60RC2

Cost effective monolithically integrated IGBT with Diode

文件：1.47012 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD06N60RC2

600 V、6 A IGBT 分立器件，带反向导电驱动 2 个二极管，采用 TO-252 封装

Infineon

英飞凌

IKD06N60RF

IGBT

Infineon

英飞凌

IKD06N60RF

RC-Drive and RC-Drive Fast

文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages

Infineon

英飞凌

IKD06N60RF

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.9381 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD06N60RF

?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD06N60RF_14

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.9381 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD06N60RFA

Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses

文件：1.96668 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

06N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

Features Maintains both low power loss and low noise Lower RDS(on) characteristic More controllable switching dv/dt by gate resistance Smaller VGS ringing waveform during switching Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V) High avalanche durability Applica

Fuji

富士通

CJP06N60

Power filed Effect Transistor

FEATURES ◆ Robust High Voltage Termination ◆ Avalanche Energy Specified ◆ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ◆ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ◆ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

JIANGSU

长电科技

AIHD06N60R

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

AIHD06N60RF

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

CMT06N60

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件：191.5 Kbytes Page：6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

IKD06N60R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKD06N60R

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IKD06N60R供应商更多...

更新时间：2025-11-17 18:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
IKD06N60RF
INFINEON
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深圳市正纳电子有限公司
IKD06N60R
Infineon(英飞凌)
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深圳市富利微电子科技有限公司
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IKD06N60RF
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IKD06N60RFATMA1
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深圳市芯球通科技有限公司
IKD06N60R
Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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深圳市祥瑞智科技有限公司
IKD06N60RFATMA1
INFINEON/英飞凌
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深圳市斌腾达科技有限公司
IKD06N60R
Infineon Technologies
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深圳市恒凯威科技开发有限公司
IKD06N60R
Infineon/英飞凌
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深圳市恒达亿科技有限公司
IKD06N60RF
INFINEON
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6000
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IKD06N60R规格书下载地址

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    https://hfx03.114ic.com/

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  • IKD06N60RF

    类别：分离式半导体产品家庭：IGBT - 单路系列：TrenchStop?IGBT 类型：沟道电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600VVge， Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，6A电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A功率 - 最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO

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