位置：首页 > IC中文资料第5724页 > IHW30N90R
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IHW30N90R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: • 1.5V typical saturation voltage of IGBT • Trench and Fieldstop technology for 900 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat | Infineon 英飞凌 |   | |
IHW30N90R | HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga | Infineon 英飞凌 | | |
IHW30N90R | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 900V 60A 454W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | |
IHW30N90R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode | Infineon 英飞凌 | | |
IHW30N90R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode 文件：356.25 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: • 1.5V typical saturation voltage of IGBT • Trench and Fieldstop technology for 900 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat | Infineon 英飞凌 | | ||
Soft Switching Series 文件：293.73 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-channel 900V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH IGBT 文件：159.35 Kbytes Page：10 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
IHW30N90R产品属性
- 类型
描述
- 型号
IHW30N90R
- 功能描述
IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 900V 30A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
5540 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
INFINEON |
23+ |
30A,900V |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
INFINEON |
12+ |
TO247 |
209 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-247 |
3200 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
||||
INFINEON原装 |
ROHS全新原装 |
TO-220F |
21870 |
原装进口价格好实需详询QQ |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
19+ |
3P |
50000 |
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制造商零件编号 IHW30N160R2FKSA1 Manufacturer Or OEM Infineon Technologies 描述 IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 说明 IGBT NPT，沟槽型场截止 1600V 60A 312W 通孔 PG-TO247-3 对无铅/(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级（MSL） 1（无限） 最低订购数量 240 标准包装
2020-12-14
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