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IHW30N60T价格
参考价格：￥13.6798
型号：IHW30N60T 品牌：Infineon 备注：这里有IHW30N60T多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IHW30N60T批发/采购报价，IHW30N60T行情走势销售排行榜，IHW30N60T报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IHW30N60T | Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop technology with optimised diode 文件：368.59 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IHW30N60T | Soft Switching Series 文件：365.88 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
IHW30N60T | Positive temperature coefficient in VCE 文件：545.89 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
IHW30N60T | 分立式IGBT | Infineon 英飞凌 | | |
Soft Switching Series 文件：365.88 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Positive temperature coefficient in VCE 文件：545.89 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 60A 187W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | ||
BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris | Bourns 伯恩斯 | | ||
Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode 文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER 文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages | DIODES 美台半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages | DACO 罡境电子 | | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages | DACO 罡境电子 | |
IHW30N60T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IHW30N60T
- 功能描述
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 30A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
TO-247 |
45000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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INFINEON/英飞凌全新特价IHW30N60T即刻询购立享优惠#长期有货 |
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PBFREE |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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INFINEON |
25+23+ |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
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15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
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Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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INFINEON |
24+ |
PG-TO247-3 |
8866 |
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INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
TO-247 |
4800 |
全新原装正品,优势价格 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO247 |
1040 |
IHW30N60T规格书下载地址
IHW30N60T参数引脚图相关
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制造商零件编号 IHW30N160R2FKSA1 Manufacturer Or OEM Infineon Technologies 描述 IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 说明 IGBT NPT，沟槽型场截止 1600V 60A 312W 通孔 PG-TO247-3 对无铅/(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级（MSL） 1（无限） 最低订购数量 240 标准包装
2020-12-14
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