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IHW30N140R5L

Reverse-Conducting IGBT with monolithic body diode

Features • VCE = 1400 V • IC = 30 A • Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only • Very tight parameter distribution • High ruggedness, temperature stable behavior • Very low VCEsat • Easy paralleling capability due to positive temperature coe

Infineon

英飞凌

IHW30N140R5L

Reverse-Conducting IGBT

DESCRIPTION · High ruggedness, temperature stable behavior · Very low VCEsat · Easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in VCEsat · Low EMI APPLICATIONS · Induction cooker · Microwave ovens

ISC

无锡固电

更新时间:2025-8-13 11:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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3000
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