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位置：首页 > IC中文资料第3066页 > IHW15N120R

IHW15N120R价格

参考价格：￥10.0416

型号：IHW15N120R3 品牌：INFINEON 备注：这里有IHW15N120R多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IHW15N120R批发/采购报价，IHW15N120R行情走势销售排行榜，IHW15N120R报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IHW15N120R

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: • Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage • Body diode clamps negative voltages • Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : - very tight parameter distribution - high rugg

Infineon

英飞凌

IHW15N120R

HighSpeed 2-Technology

• Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga

Infineon

英飞凌

IHW15N120R

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Infineon

英飞凌

IHW15N120R2

HighSpeed 2-Technology

• Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga

Infineon

英飞凌

IHW15N120R2

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: • Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage • Body diode clamps negative voltages • Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, te

Infineon

英飞凌

IHW15N120R3

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

Features: • Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only • TRENCHSTOP™ technology applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capabilit

Infineon

英飞凌

IHW15N120R2

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Infineon

英飞凌

IHW15N120R2

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 30A 357W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IHW15N120R3

1200 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Infineon

英飞凌

IHW15N120R3

Material Content Data Sheet

文件：33.12 Kbytes Page：1 Pages

Infineon

英飞凌

IHW15N120R3_15

Material Content Data Sheet

文件：33.12 Kbytes Page：1 Pages

Infineon

英飞凌

IHW15N120R3FKSA1

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 30A 254W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

DTGN15N120

High ruggedness, temperature stable behavior

General Description Din-Tek Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. FEATURES ·High speed switching ·High ruggedness,

DINTEK

尚鼎芯

DTGT15N120

Soft current turn-off waveforms

General Description Din-Tek Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc. FEATURES ·High speed switching ·High ruggedness, temperature stable behavior

DINTEK

尚鼎芯

DTGT15N120P

Soft current turn-off waveforms

General Description Din-Tek IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc. FEATURES ·High speed switching ·High system efficiency ·Soft current turn-off waveforms ·E

DINTEK

尚鼎芯

FGA15N120AND

IGBT

General Description Employing NPT technology, Fairchild’s AND series of IGBTs provides low conduction and switching losses. The AND series offers solutions for applications such as induction heating (IH), motor control, general purpose inverters and uninterruptible power supplies (UPS). Features

Fairchild

仙童半导体

BRG15N120D

Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package

文件：1.36019 Mbytes Page：9 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

IHW15N120R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IHW15N120R

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IHW15N120R供应商更多...

更新时间：2025-11-6 18:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
IHW15N120R3
INFINEON
20+
TO247
25
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司
IHW15N120R3
INFINEON/英飞凌
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H
5000
原厂支持公司优势现货
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深圳市正迈科技有限公司
IHW15N120R3H15R1203
INFINEON
23+
SIP
20500
H15R1203 IGBT 沟道 1200 V 30 A 254 W .单片体二极管的反向导通IGBT
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深圳市赛特兴科技有限公司
IHW15N120R3
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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深圳市朱博士电子科技有限公司
IHW15N120R3
Infineon
2526+
原厂封装
60000
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83274410邹小姐
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深圳市芯球通科技有限公司
IHW15N120R3
Infineon(英飞凌)
23+
TO-247-3
19850
原装正品,假一赔十
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深圳市赛美科科技有限公司
IHW15N120R3IGBT管
INFINEON/英飞凌
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深圳市华康联电子科技有限公司
IHW15N120R3
Infineon
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TO-247
20000
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深圳市星宇佳科技有限公司
IHW15N120R3FKSA1
INFINEON/英飞凌
0
*
10
询价
深圳市富达微科技有限公司
IHW15N120R3
Infineon
24+
TO-247
8000
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！
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IHW15N120R规格书下载地址

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    IHW30N160R5，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.

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    IHW30N135R5，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.

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    制造商零件编号 IHW30N160R2FKSA1 Manufacturer Or OEM Infineon Technologies 描述 IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 说明 IGBT NPT，沟槽型场截止 1600V 60A 312W 通孔 PG-TO247-3 对无铅/(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级（MSL） 1（无限） 最低订购数量 240 标准包装

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  • IHM2PM220K

    Reel SMD/SMT 固定电感器 , 3.2 mm x 2.5 mm x 2.2 mm 固定电感器 , 10 uH 5050 AEC-Q200 固定电感器 , 4.7 nH 固定电感器 , 0805 (2012 metric) 固定电感器 , 560 nH 固定电感器

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  • IHLP3232DZER2R2M01

    深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐 手机：18975515225 原装正品 大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777

    2019-5-29

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