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IGW40N65H5A

Highspeedswitchingseriesfifthgeneration

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IGW40N65H5AXKSA1

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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AIGB40N65H5

HighspeedIGBTinTRENCHSTOPTM5technology

FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering: •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •PlugandplayreplacementofpreviousgenerationIGBTs •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •Maximumjunctiontemperature175°C •Dynamicallystresste

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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BIDW40N65H5

BIDW40N65H5InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

Features n650V,40A,LowCollector-Emitter SaturationVoltage(VCE(sat)) nNoveltrench-gatefield-stoptechnology nOptimizedforconduction nHigh-speedswitching nMaximumoperatingTj=175°C nRoHScompliant* Applications nSwitched-ModePowerSupplies(SMPS) nUninterruptible

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns
AIGW40N65H5

HighspeedfastIGBTinTRENCHSTOPTM5technology

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IGP40N65H5

650VIGBThighspeedswitchingseriesfifthgeneration

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Highspeed5IGBTinTRENCHSTOP5technology

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InfineonInfineon Technologies AG

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IGW40N65H5A供应商更多...

更新时间：2025-8-3 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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INFINEON/英飞凌
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INFINEON TECHNOLOGIES AG
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TO2473
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深圳市德力诚信科技有限公司
IGW40N65H5FKSA1
INFINEON
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