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位置：首页 > IC中文资料 > IGT60R190D1S

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IGT60R190D1S

600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for standard grade applications according to JEDEC standards

Infineon

英飞凌

IGT60R190D1S

CoolGaN™600V 电子模式功率晶体管IGT60R190D1S具有极高的效率和可靠性

Infineon

英飞凌

60R190D1

600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

Infineon

英飞凌

60R190D1

600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

Infineon

英飞凌

IGLD60R190D1

600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

Infineon

英飞凌

IGLD60R190D1S

600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for standard grade applications according to JEDEC Standards

Infineon

英飞凌

IGLR60R190D1

600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

Infineon

英飞凌

IGT60R190D1S供应商更多...

更新时间：2025-11-18 10:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
IGT60R190D1S
Infineon(英飞凌)
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深圳市富利微电子科技有限公司
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深圳市斌能达电子科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
IGT60R190D1S
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