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位置：首页 > IC中文资料 > IGT60R190D1S

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IGT60R190D1S

600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for standard grade applications according to JEDEC standards

Infineon

英飞凌

60R190D1

600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

Infineon

英飞凌

60R190D1

600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

Infineon

英飞凌

IGLD60R190D1

600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

Infineon

英飞凌

IGLD60R190D1S

600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for standard grade applications according to JEDEC Standards

Infineon

英飞凌

IGLR60R190D1

600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

Infineon

英飞凌

IGT60R190D1S供应商更多...

更新时间：2025-8-14 17:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市富利微电子科技有限公司
IGT60R190D1S
Infineon/英飞凌
24+
PG-HSOF-8-3
25000
原装正品,假一赔十!
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深圳市斌腾达科技有限公司
IGT60R190D1SATMA1
Infineon Technologies
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PG-HSOF-8-3
2000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
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深圳市中赛美电子科技有限公司
IGT60R190D1S
Infineon/英飞凌
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PG-HSOF-8-3
12700
买原装认准中赛美
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深圳市煦洪科技有限公司
IGT65R025D2
Infineon/英飞凌
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！
询价
深圳市振宏微科技有限公司
IGT60R190D1S
Infineon/英飞凌
23+
PG-HSOF-8-3
25630
原装正品
询价
深圳市创新迹电子有限公司
IGT60R190D1S
Infineon/英飞凌
2022+
PG-HSOF-8-3
48000
只做原装,原装,假一罚十
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深圳市恒凯威科技开发有限公司
IGT60R190D1S
Infineon/英飞凌
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PG-HSOF-8-3
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只做原装,质量保证
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深圳市一线半导体有限公司
IGT99268GC-SUBI-E(D096)
SANYO
24+
SMD
12860
新进库存/原装
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
IGT8E21
GEN
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TO-247
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
富凯科技(深圳）有限公司
IGT60R190D1S
Infineon/英飞凌
24+
PG-HSOF-8-3
8000
只做原装，欢迎询价，量大价优
询价

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