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IGP50N60T

LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY

Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply • Trench and Fieldstop technology for 600 V applications

Infineon

英飞凌

IGP50N60T

Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

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Infineon

英飞凌

IGP50N60T

600 V、50 A IGBT 分立器件,采用 TO-220 封装

Infineon

英飞凌

Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 100A 333W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IGBT - Field Stop II

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

Polar3 HiperFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

IGP50N60T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IGP50N60T

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-3 9:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
Infineon(英飞凌)
25+
标准封装
8800
公司只做原装,详情请咨询
Infineon(英飞凌)
24+
N/A
9855
原装正品现货支持实单
infineon
24+
TO-220F
6430
原装现货/欢迎来电咨询
Infineon(英飞凌)
26+
NA
60000
只有原装 可配单
INFINEON
24+
n/a
25836
新到现货,只做原装进口
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
93552
INFINEON/英飞凌
24+
TO-220
10
绝对原厂原装,长期优势可定货

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