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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IGP50N60T | LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply • Trench and Fieldstop technology for 600 V applications | Infineon 英飞凌 |   | |
IGP50N60T | Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：454.22 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：454.22 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 100A 333W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT - Field Stop II 文件：242.78 Kbytes Page：11 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：153.27 Kbytes Page：6 Pages | IXYS | | ||
Polar3 HiperFET Power MOSFET 文件：173.07 Kbytes Page：5 Pages | IXYS | | ||
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | |
IGP50N60T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IGP50N60T
- 功能描述
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
TO220 |
2514 |
原厂原装正品 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO220 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO220 |
36000 |
只做全新原装进口现货 |
|||
INFINEON |
23+24 |
TO-220 |
49820 |
主营全系列二三极管、MOS场效应管、 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
|||
24+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Infineon |
24+ |
NA |
3556 |
进口原装正品优势供应 |
|||
INFINEON |
24+ |
NA |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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