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位置：首页 > IC中文资料第3565页 > IGP30N60H3

IGP30N60H3价格

参考价格：￥9.3867

型号：IGP30N60H3 品牌：Infineon 备注：这里有IGP30N60H3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IGP30N60H3批发/采购报价，IGP30N60H3行情走势销售排行榜，IGP30N60H3报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IGP30N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

TRENCHSTOPtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IGP30N60H3

TrenchandFieldstopIGBT

DESCRIPTION ·Verylowturn-offenergy ·LowVCEsat ·Maximumjunctiontemperature175℃ ·LowEMI APPLICATIONS ·Converterswithhighswitchingfrequency ·Weldingconverters ·Uninterruptiblepowersupplies

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IGP30N60H3XKSA1

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 60A 187W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BIDNW30N60H3

BIDNW30N60H3InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

GeneralInformation TheBourns®ModelBIDNW30N60H3IGBTdevicecombinestechnologyfromaMOS gateandabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacter

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns
IGA30N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

文件：1.62111 Mbytes Page：15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

文件：1.63937 Mbytes Page：14 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

文件：1.45972 Mbytes Page：14 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

IGP30N60H3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IGP30N60H3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 30A 187W

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IGP30N60H3供应商更多...

更新时间：2025-6-24 19:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
IGP30N60H3
INFINEON
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TO-220
100
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深圳市科芯源微电子有限公司
IGP30N60H3
INFINEON/英飞凌
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PG-TO220-3
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Infineon/英飞凌
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Infineon/英飞凌
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IGP30N60H3
INFINEON/英飞凌
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NA
500
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IGP30N60H3XKSA1
Infineon Technologies
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TO-220-3
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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深圳市富利微电子科技有限公司
IGP30N60H3
Infineon/英飞凌
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PG-TO220-3
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深圳市振宏微科技有限公司
IGP30N60H3
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO220-3
25630
原装正品
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