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IDW20G120C5B	Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide 文件：593.52 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDW20G120C5B	采用 TO-247-3 封装的 1200 V 碳化硅肖特基二极管	Infineon 英飞凌	Infineon
IDW20G120C5BFKSA1	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：DIODE 1.2KV 20A RAPID2 TO247-3 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	Infineon 英飞凌	Infineon
IDK20G120C5	5th Generation CoolSiCTM 1200V Schottky Diode Features  Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  No reverse recovery current / no forward recovery  Temperature independent switching behaviour  Low forward voltage even at high operating temperature  Tight forward voltage distribution  Excellent thermal performance 	Infineon 英飞凌	Infineon
IDWD20G120C5	5th Generation CoolSiCTM 1200V Schottky Diode Features  No reverse recovery current / no forward recovery  High surge current capability  Temperature independent switching behaviour  Low forward voltage even at high operating temperature  Tight forward voltage distribution  Specified dv/dt ruggedness  Pb-free lead plating; RoHS	Infineon 英飞凌	Infineon
IDH20G120C5	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：887.64 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-11-3 23:00:00

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深圳市凌旭科技有限公司	IDW20G120C5BFKSA1	INFINEON	4800	TO-247	3000		询价
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IDT82V2041EPPG
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2023-10-13
IDT821054APF
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2023-6-1
IDT82P2281PFG
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2023-4-25
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2021-4-27
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2021-4-27
IDW20G65C5B Infineon 肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
INFINEON/英飞凌 IDW20G65C5B 深圳市佳杰伟业科技有限公司大量现货
2020-11-17