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位置：首页 > IC中文资料第1379页 > IDT71V416S12Y

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT71V416S12Y

3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(256Kx16-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shighperfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-ofthe-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfo

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V416S12Y

封装/外壳：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 包装：托盘 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
IDT71V416S12YG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V416S12YGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

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IDT71V416S12YI

封装/外壳：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 包装：托盘 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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71V416S12BEG

3.3VCMOSStaticRAM

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3.3VCMOSStaticRAM

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IDT71V416S12Y产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V416S12Y

  • 功能描述

    IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    576

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    闪存

  • 存储器类型

    闪存 - NAND

  • 存储容量

    512M（64M x 8）

  • 速度

    -

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）

  • 供应商设备封装

    48-TSOP

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    497-5040

IDT71V416S12Y供应商更多...

更新时间：2024-5-29 11:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市芯福林电子科技有限公司
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