您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第4643页 > IDT71V35761SA183BQ

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT71V35761SA183BQ

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V35761SA183BQ

封装/外壳：165-TBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
IDT71V35761SA183BQI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V35761SA183BQG

3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V35761SA183BQG8

3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V35761SA183BQGI

3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V35761SA183BQGI8

3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V35761SA183BQI

封装/外壳：165-TBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V35761SA183BG

128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V35761SA183BGG

128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V35761SA183BGGI

128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V35761SA183BGI

128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V35761SA183BQG

128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

IDT71V35761SA183BQ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V35761SA183BQ

  • 功能描述

    IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    576

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    闪存

  • 存储器类型

    闪存 - NAND

  • 存储容量

    512M（64M x 8）

  • 速度

    -

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）

  • 供应商设备封装

    48-TSOP

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    497-5040

IDT71V35761SA183BQ供应商更多...

更新时间：2024-5-15 17:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市芯福林电子科技有限公司
IDT71V35761SA183BQ
IDT
21+
165CABGA (13x15)
13880
公司只售原装,支持实单
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
IDT71V35761SA183BQ
IDT, Integrated Device Technol
21+
165-CABGA(13x15)
56200
一级代理/放心采购
询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司
IDT71V35761SA183BQ
IDT
23+
165-CABGA(13x15)
7050
专业分销产品!原装正品!价格优势!
询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司
IDT71V35761SA183BQG
IDT
14+
FBGA165
1500
只有原装!只做原装!一片起卖!
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
IDT71V35761SA183BQ
IDT
22+
165CABGA (13x15)
9000
原厂渠道,现货配单
询价
易创佳业科技（深圳）有限公司
IDT71V35761SA183BQ
IDT
23+
165CABGA (13x15)
9000
原装正品，支持实单
询价
深圳市兴灿科技有限公司
IDT71V35761SA183BQ
IDT
23+
165-FBGA
3154
原装现货
询价
深圳市创新迹电子有限公司
IDT71V35761SA183BQ
IDT, Integrated Device Techno
23+
165-CABGA13x15
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
IDT71V35761SA183BQ
Renesas Electronics America In
24+
165-TBGA
9350
独立分销商,公司只做原装，诚心经营,免费试样正品保证
询价
深圳市安富世纪电子有限公司
IDT71V35761SA183BQ
IDT, Integrated Device Techno
23+
165-CABGA13x15
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价

IDT71V35761SA183BQ芯片相关品牌

  • AVAGO
  • DAESAN
  • HONEYWELL-ACC
  • HUBERSUHNER
  • IXYS
  • LITEON
  • Micron
  • MMD
  • NJSEMI
  • ROSENBERGER
  • Vicor
  • WALL

IDT71V35761SA183BQ规格书下载地址

IDT71V35761SA183BQ参数引脚图相关

IDT71V35761SA183BQ数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示