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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IDT71V35761S200BQI | 128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  |   |
IDT71V35761S200BQI | 封装/外壳：165-TBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
封装/外壳：165-TBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect 文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect 文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
IDT71V35761S200BQI产品属性
- 类型
描述
- 型号
IDT71V35761S200BQI
- 功能描述
IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
576
- 系列
- 格式 -
- 存储器
闪存
- 存储器类型
闪存 - NAND
- 存储容量
512M（64M x 8）
- 速度
-
- 接口
并联
- 电源电压
2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳
48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商设备封装
48-TSOP
- 包装
托盘
- 其它名称
497-5040
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
2020+ |
TQFP100 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
IDT |
1836+ |
TQFP100 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
IDT |
06/07+ |
QFP |
3423 |
||||
IDT |
22+ |
QFP |
2000 |
原装正品现货 |
|||
IDT |
23+ |
QFP |
8000 |
全新原装现货,欢迎来电咨询 |
|||
IDT |
23+ |
165-FBGA |
3494 |
原装现货 |
|||
IDT |
22+ |
QFP |
10000 |
原装正品优势现货供应 |
|||
IDT, Integrated Device Techno |
23+ |
165-CABGA13x15 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
Renesas Electronics America In |
24+ |
165-TBGA |
9350 |
独立分销商,公司只做原装，诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
IDT |
18+ |
QFP |
264 |
原装现货热卖!支持货到付款!可开增值税票! |
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