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位置：首页 > IC中文资料第2590页 > IDT71V256SA12PZ

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT71V256SA12PZ

LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

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集成器深圳市集成器件技术有限公司

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IDT71V256SA12PZ

封装/外壳：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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IDT71V256SA12PZG8

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

文件：478.03 Kbytes Page：8 Pages

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集成器深圳市集成器件技术有限公司

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IDT71V256SA12PZGI8

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

文件：478.03 Kbytes Page：8 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

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IDT71V256SA12PZI

封装/外壳：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP 集成电路（IC） 存储器

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71V256SA12PZG

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

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71V256SA12PZGI

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

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71V256SA12YG

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

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71V256SA12YGI

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Electronics America

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LowerPower3.3VCMOSFastSRAM

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IDT71V256SA12PZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V256SA12PZ

  • 功能描述

    IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 05/Nov/2008

  • 标准包装

    84

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步 ZBT

  • 存储容量

    4.5M（128K x 36）

  • 速度

    75ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    119-BGA

  • 供应商设备封装

    119-PBGA（14x22）

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71V3557SA75BGI

IDT71V256SA12PZ供应商更多...

更新时间：2024-5-21 18:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
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