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位置：首页 > IC中文资料第905页 > IDT71V124SA12TY

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT71V124SA12TY

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout

Description TheIDT71V124isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT
IDT71V124SA12TY

封装/外壳：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 包装：管件 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
IDT71V124SA12TYI

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout

Description TheIDT71V124isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT
IDT71V124SA12TYI

封装/外壳：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 包装：管件 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V124SA12PHG

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V124SA12PHGI

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V124SA12TYG

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V124SA12TYGI

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V124SA12YG

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)CenterPower&GroundPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

IDT71V124SA12TY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V124SA12TY

  • 功能描述

    IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 05/Nov/2008

  • 标准包装

    84

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步 ZBT

  • 存储容量

    4.5M（128K x 36）

  • 速度

    75ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    119-BGA

  • 供应商设备封装

    119-PBGA（14x22）

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71V3557SA75BGI

IDT71V124SA12TY供应商更多...

更新时间：2024-9-22 23:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市昌和盛利电子有限公司
IDT71V124SA12TY
IDT
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32PIN300MILS
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