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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   | |
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3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
3.3VCMOSStaticRAM 文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  | | |
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IDT71V016SA10BFGI产品属性
- 类型
描述
- 型号
IDT71V016SA10BFGI
- 功能描述
IC SRAM 1MBIT 10NS 48FBGA
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
72
- 系列
- 格式 -
- 存储器
RAM
- 存储器类型
SRAM - 同步
- 存储容量
4.5M（256K x 18）
- 速度
133MHz
- 接口
并联
- 电源电压
3.135 V ~ 3.465 V
- 工作温度
0°C ~ 70°C
- 封装/外壳
100-LQFP
- 供应商设备封装
100-TQFP（14x20）
- 包装
托盘
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
CABGA48(7x7) |
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|||
IDT |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
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IDT |
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48-CABGA (7.00L X 7.00W X 0.75 |
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Renesas |
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||||
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IDT, Integrated Device Technol |
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