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HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat

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HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat

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HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

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IDT

IDT70V3589S166BCG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V3589S166BCG

  • 功能描述

    IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    2,500

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    1K(128 x 8)

  • 速度

    100kHz

  • 接口

    UNI/O?(单线)

  • 电源电压

    1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-MSOP

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2024-5-22 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
23+
CABGA256(17x17)
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
RENESAS(瑞萨)/IDT
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CABGA208(15x15)
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CABGA-256(17x17)
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CABGA-256(17x17)
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IDT, Integrated Device Technol
21+
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