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IDFW80C65D1

Emitter Controlled Rapid-1 Diode in Advanced Isolation

Features • VRRM = 650 V • IF = 2x 40 A • 650 V emitter controlled technology • Temperature stable behaviour of key parameters • Low forward voltage (VF) • Low reverse recovery charge (Qrr) • Low reverse recovery current (Irrm) • Maximum junction temperature Tvjmax = 175°C • 2500 VRMS elec

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IDFW80C65D1

采用 TO-247 高级隔离封装的 650 V 硅功率二极管

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封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IDFW80C65D1XKSA1 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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Emitter Controlled Diode Rapid 1 Common Cathode Series

文件:1.63146 Mbytes Page:11 Pages

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英飞凌

更新时间:2026-1-4 23:01:00
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