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4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

DESCRIPTION The ISSI 4400 Series is a 4,194,304 x 4-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 or 4096 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 4-b

ISSI

矽成半导体

4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

DESCRIPTION The ISSI 4400 Series is a 4,194,304 x 4-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 or 4096 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 4-b

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矽成半导体

更新时间:2025-11-4 16:42:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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