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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package

DESCRIPTION The LET21008 is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 26 V in common source mode at frequencies up to 2.1 GHz. LET21008 boasts the excellent

STMICROELECTRONICS

意法半导体

GaAs Varactor Diodes Abrupt Junction

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罗姆

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更新时间:2025-11-3 18:35:01
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    进口代理

    2024-1-17
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    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

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    IAM-20680HP

    2020-12-24
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

    2019-11-19
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    2013-1-27