| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
I630 | 9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso | WXDH 东海半导体 |   | |
I630 | 200-550V MOSFET | WXDH 东海半导体 | | |
I630 | 5 mm x 7 mm Ceramic Package SMD VCXO, LVCMOS / LVPECL / LVDS 文件：53.8 Kbytes Page：3 Pages | ILSI | | |
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IR |
23+ |
2018+ |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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IR |
23+ |
2018+ |
7000 |
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IR |
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终端可免费供样,支持BOM配单 |
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ABRACON |
25+ |
9000 |
只做原装优势货源渠道 |
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2023-9-4IAM-20680HP
IAM-20680HP
2020-12-24I/O连接器10120666-101LF原装现货
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2019-12-11I/O连接器10120666-301LF原装现货
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2019-12-11I/O连接器10120818-001C-TRLF原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
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