位置:HY62CT08081E-DGE > HY62CT08081E-DGE详情

HY62CT08081E-DGE中文资料

厂家型号

HY62CT08081E-DGE

文件大小

186.36Kbytes

页面数量

12

功能描述

32Kx8bit CMOS SRAM

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

HYNIX

HY62CT08081E-DGE数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The HY62CT08081E is a high-speed, low power and 32,786 X 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hynixs high performance CMOS process technology. It is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application. This device has a data retention mode that guarantees data to remain valid at the minimum power supply voltage of 2.0 volt.

FEATURES

• Fully static operation and Tri-state output

• TTL compatible inputs and outputs

• Low power consumption

• Battery backup

- 2.0V(min.) data retention

• Standard pin configuration

- 28 pin 600mil PDIP

- 28 pin 330mil SOP

- 28 pin 8x13.4 mm TSOP-I (Standard)

HY62CT08081E-DGE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HY62CT08081E-DGE

  • 制造商

    HYNIX

  • 制造商全称

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述

    32Kx8bit CMOS SRAM

更新时间:2025-10-14 17:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
hynix
2023+
原厂封装
50000
原装现货
HYNIX
25+
DIP
756
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
HYNIX
23+
DIP
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
HYNIX
10+
DIP
6000
绝对原装自己现货
HYNIX
24+
DIP
625
HYNIX
23+
DIP
50000
全新原装正品现货,支持订货
HYNIX
0412+
DIP
756
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
HYNIX
DIP
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
HYNIX
24+
NA
990000
明嘉莱只做原装正品现货
HYNIX
17+
DIP
6200
100%原装正品现货

HYNIX相关芯片制造商