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HY27UF081G2M-TMS中文资料

厂家型号

HY27UF081G2M-TMS

文件大小

476.81Kbytes

页面数量

48

功能描述

1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory

1Gbit(128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory

数据手册

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简称

HYNIX海力士

生产厂商

Hynix Semiconductor

中文名称

海力士半导体官网

LOGO

HY27UF081G2M-TMS数据手册规格书PDF详情

SUMMARY DESCRIPTION

The HYNIX HY27(U/S)F(08/16)1G2M series isa 128Mx8bit with spare 4Mx8 bit capacity. The device is offered in 1.8V Vcc Power Supply and in 3.3V Vcc Power Supply. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased. The device contains 1024 blocks, composed by 64 pages consisting in two NAND structures of 32 series connected Flash cells.

HY27UF081G2M-TMS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HY27UF081G2M-TMS

  • 制造商

    HYNIX

  • 制造商全称

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述

    1Gbit(128Mx8bit/64Mx16bit) NAND Flash Memory

更新时间:2025-8-5 16:59:00
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Hynix Semiconductor 海力士半导体

中文资料: 6201条

Hynix Semiconductor,现更名为SK hynix,是一家总部位于韩国的全球领先半导体制造商,成立于1983年。公司主要专注于开发和生产存储器产品,包括动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(NAND Flash)和其他半导体组件。SK hynix在电子行业中以其高性能和高容量的存储解决方案而闻名。 作为全球第二大DRAM制造商和第三大NAND Flash制造商,SK hynix在过去几十年中不断进行技术创新和产品开发,以满足不断增长的市场需求。公司致力于研发下一代存储技术,并在智能手机、服务器、个人计算机和数据中心等多个领域提供解决方案。 SK hynix还注重环境可持续性和社会