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H5TC4G83CFR-RDJ中文资料

厂家型号

H5TC4G83CFR-RDJ

文件大小

472.76Kbytes

页面数量

33

功能描述

4Gb DDR3L SDRAM Lead-Free&Halogen-Free (RoHS Compliant)

数据手册

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简称

HYNIX海力士

生产厂商

Hynix Semiconductor

中文名称

海力士半导体官网

LOGO

H5TC4G83CFR-RDJ数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• VDD=VDDQ=1.35V + 0.100 / - 0.067V

• Fully differential clock inputs (CK, CK) operation

• Differential Data Strobe (DQS, DQS)

• On chip DLL align DQ, DQS and DQS transition with CK

transition

• DM masks write data-in at the both rising and falling

edges of the data strobe

• All addresses and control inputs except data,

data strobes and data masks latched on the

rising edges of the clock

• Programmable CAS latency 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 and 13

supported

• Programmable additive latency 0, CL-1, and CL-2

supported

• Programmable CAS Write latency (CWL) = 5, 6, 7, 8

• Programmable burst length 4/8 with both nibble

sequential and interleave mode

• BL switch on the fly

• 8banks

• Average Refresh Cycle (Tcase of 0 oC~ 95 oC)

- 7.8 μs at 0oC ~ 85 oC

- 3.9 μs at 85oC ~ 95 oC

Commercial Temperature( 0oC ~ 95 oC)

Industrial Temperature( -40oC ~ 95 oC)

• JEDEC standard 78ball FBGA(x8), 96ball FBGA (x16)

• Driver strength selected by EMRS

• Dynamic On Die Termination supported

• Asynchronous RESET pin supported

• ZQ calibration supported

• TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8 only)

• Write Levelization supported

• 8 bit pre-fetch

更新时间:2025-6-5 9:35:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Hynix
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原装正品

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Hynix Semiconductor 海力士半导体

中文资料: 6197条

Hynix Semiconductor,现更名为SK hynix,是一家总部位于韩国的全球领先半导体制造商,成立于1983年。公司主要专注于开发和生产存储器产品,包括动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(NAND Flash)和其他半导体组件。SK hynix在电子行业中以其高性能和高容量的存储解决方案而闻名。 作为全球第二大DRAM制造商和第三大NAND Flash制造商,SK hynix在过去几十年中不断进行技术创新和产品开发,以满足不断增长的市场需求。公司致力于研发下一代存储技术,并在智能手机、服务器、个人计算机和数据中心等多个领域提供解决方案。 SK hynix还注重环境可持续性和社会