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HGH20N120A中文资料

厂家型号

HGH20N120A

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5

功能描述

N-Channel Enhancement Insulated Gate Bipolar Transistor

数据手册

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生产厂商

HUASHAN

HGH20N120A数据手册规格书PDF详情

Features

• Low saturation voltage, Vce(on)(typ)=2.3V@Vge=15V

• High input impedance

• Field stop trench technology offer superior

conduction and switching performances,

• High speed switching

Applications

• Induction heating and Microwave oven

• Soft switching applications

更新时间:2025-10-27 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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