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HFP740中文资料

厂家型号

HFP740

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6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

HUASHAN

HFP740数据手册规格书PDF详情

General Description

This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half bridge and full bridge resonant topolgy like a electronic lamp ballast.

Features

• 10A, 400V, RDS(on) <0.55Ω@VGS = 10 V

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

• Equivalent Type:IRF740

HFP740产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HFP740

  • 制造商

    HUASHAN

  • 制造商全称

    HUASHAN

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2025-10-17 14:09:00
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