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H45N03E中文资料
H45N03E数据手册规格书PDF详情
Features
• RDS(on)=15mΩ@VGS=10V, ID=25A
• RDS(on)=20mΩ@VGS=4.5V, ID=25A
• Advanced trench process technology
• High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance
• Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers
• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
• Improved Shoot-Through FOM
H45N03E产品属性
- 类型
描述
- 型号
H45N03E
- 制造商
HSMC
- 制造商全称
HSMC
- 功能描述
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(25V, 45A)
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