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H2N5551中文资料

厂家型号

H2N5551

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功能描述

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

HSMC

H2N5551数据手册规格书PDF详情

Description

The H2N5551 is designed for amplifier transistor.

Features

• Complements to PNP Type H2N5401

• High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO>160V (@IC=1mA))

H2N5551产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H2N5551

  • 制造商

    HSMC

  • 制造商全称

    HSMC

  • 功能描述

    NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

更新时间:2025-12-1 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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