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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS =35mΩ typ.
• High speed switching
• 4V gate drive device can be driven from 5V source
更新时间：2025-11-27 10:04:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
2022+ |
TO-220F |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
TO-262 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-262 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-262 |
7000 |
||||
东芝 |
6000 |
面议 |
19 |
TO-220 |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
TO126 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
进口品牌 |
23+ |
SMD |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
FUJI |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
FERRAZ/罗兰熔断器 |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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