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2SJ546数据手册规格书PDF详情
Features
• Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ.
• Low drive current.
• 4V gate drive devices.
• High speed switching.
2SJ546产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SJ546
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon P Channel MOS FET
更新时间：2025-10-12 9:12:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI |
24+ |
TO-220F |
27500 |
原装正品,价格最低! |
|||
HITACHI/日立 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
只做正品原装现货 |
|||
HIT |
24+ |
TO-220F |
20000 |
||||
RENESAS |
23+ |
NA |
154 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220F |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
HIT |
24+ |
NA |
4000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
HIT(日立) |
1932+ |
TO-220F |
466 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
24+ |
N/A |
75000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-220F |
60000 |
全新原装现货 |
|||
R |
24+ |
TO-220FM |
5000 |
只做原装公司现货 |
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