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2SJ479数据手册规格书PDF详情
Features
• Low on-resistance RDS(on) = 25 mΩ typ.
• 4V gate drive devices.
• High speed switching
2SJ479产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SJ479
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon P Channel MOS FET
更新时间：2026-1-31 16:30:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI |
24+ |
TO-263 |
36800 |
||||
HITACHI |
25+ |
SOT-263 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电 |
|||
HITACHI |
2023+环保现货 |
TO-263 |
18000 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
|||
HITACHI |
2023+ |
TO-263 |
50000 |
原装现货 |
|||
HITACHI |
24+ |
TO-263 |
3100 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
7934 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
RENESAS |
26+ |
TO-252 |
360000 |
进口原装现货 |
|||
RENESAS |
25+ |
TO-252 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-252 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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