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IRFD9110中文资料

厂家型号

IRFD9110

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342.88Kbytes

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6

功能描述

-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp

数据手册

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简称

HARRIS

生产厂商

Harris Corporation

中文名称

官网

LOGO

IRFD9110数据手册规格书PDF详情

Description

These are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation.

Features

• -0.6A and -07A, -80V and -100V

• rDS(ON) = 1.2Ω and 1.6Ω

• Single Pulse Avalanche Energy Rated

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

• Related Literature

- TB334, Guldelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards

IRFD9110产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFD9110

  • 功能描述

    MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-30 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HARRIS
2447
DIP4
100500
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IRFD9110PBF 价格

参考价格:¥1.4807

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  • HARTING
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Harris Corporation

中文资料: 1149条

Harris Corporation 是一家美国跨国公司,总部位于佛罗里达州梅尔伯恩,成立于1895年。该公司最初以无线电通信设备起家,随着时间的推移,Harris 在通信、电子、信息技术和防务领域扩展了其业务。Harris 主要提供一系列产品和服务,包括无线通信系统、航空电子设备、电子战系统、卫星通信、网络安全和公共安全解决方案。 Harris 在国防和商业市场均有重要影响力,致力于为全球客户提供创新的技术解决方案,以支持国家安全、公共安全和商业运营的需求。2019年,Harris 与 L3 Technologies 合并,创建了 L3Harris Technologies, Inc.,进一