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HYG120P06LR1D

Single P(-20V~ -100V)

此器件为 -60V、11.5mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如防反接,电池管理系统等应用领域。 符合RoHS标准、100%  DVDS测试、100% UIL测试;

HUAYI

华羿微电

HYG120P06LR1D

丝印代码:G120P06L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HUAYI

华羿微电

丝印代码:G120P06L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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丝印代码:G120P06L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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华羿微电

HYG120P06LR1D产品属性

  • 类型

    描述

  • ID@TC=25℃:

    -55

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    16

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    22

  • PD@TC=25℃ (W):

    75

  • Vgs(±V):

    20

  • Vth (V):

    -1~-3

  • Ciss Typ(pF):

    4882

  • Qg Typ(nC):

    91.5

  • Configuration:

    Single - P

  • Package:

    TO-252-2L

  • Application:

    电池保护板

  • 同类型号:

    SUG50P06

更新时间:2026-7-30 20:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HY/华羿微
21+
TO-252
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
HY
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TO-252
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只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718
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HUAYI(华羿微)
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
HUAYI(华羿微)
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全新原装
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原装正品价格优惠,志同道合共谋发展
HY/华羿微
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TO-252
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全新原装正品现货,支持订货
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