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HYB514265BJ-50 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM The HYB 5(3)14265BJ(L) is the new generation dynamic RAM organized as 262 144 words by 16-bit. The HYB 5(3)14265BJ(L) utilizes the SIEMENS 16M-CMOS submicron silicon gate process as well as advanced circuit techniques to provide wide operation margins, both internall | SIEMENS 西门子 |   |
更新时间：2025-11-3 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-1-27HY628400LG-70
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HY628100A，HY628100ALG-70，HY628100B，HY628100BLLG55
2020-1-13HY681690
HY681690，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-12HZM11NB2TL-E全新原装现货
可立即发货
2019-9-24HYG260P03LR1S
HYG260P03LR1S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-1
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