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HYB514265BJ-400

256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM

256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM The HYB 5(3)14265BJ(L) is the new generation dynamic RAM organized as 262 144 words by 16-bit. The HYB 5(3)14265BJ(L) utilizes the SIEMENS 16M-CMOS submicron silicon gate process as well as advanced circuit techniques to provide wide operation margins, both internall

SIEMENS

西门子

更新时间:2025-11-2 23:00:00
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