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HYB314100BJ-60

4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM

4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM The HYB 314100BJ/BJL is the new generation dynamic RAM organized as 4 194 304 words by 1-bit. The HYB 314100BJ/BJL utilizes CMOS silicon gate process as well as advances circuit techniques to provide wide operation margins, both internally a

SIEMENS

西门子

HYB314100BJ-60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HYB314100BJ-60

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM

更新时间:2025-8-18 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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