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HY57V561620LT-8

4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

The HY57V561620T is a 268,435,456bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V561620 is organized as 4 banks of 4,194,304x16. The HY57V561620T is offering fully synchronous operation referenced to a po

HYNIX

海力士

HY57V561620LT-8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HY57V561620LT-8

  • 制造商

    HYNIX

  • 制造商全称

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述

    4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

更新时间:2026-7-31 20:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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20+
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